让三星B-Die看不到尾灯的国产长鑫A-Die颗粒!朗科绝影RGB DDR4-4266内存评测

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  一、前言:超越三星B-Die的国产长鑫A-Die颗粒

  4266MHz频率的DDR4内存并不少,但是能在能做到4266MHz C18同时将电压控制在1.35V的,大名鼎鼎的三星B-Die不行,海力士DJR不行,美光B-Die同样也不行。

  唯一能够做到的,也许你绝对想象不到,会是国产的长鑫A-Die颗粒!

  近段时间,朗科推出了基于长鑫A-Die颗粒的绝影RGB DDR4-4266内存,时序CL18-22-22-42,电压1.35V。

  

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  朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存的时序和电压已经足够低了,在这个基础上,它还拥有令人咋舌的超频能力,其超频能力之强,令特挑的三星B-Die也望尘莫及。

  关于超频,我们在后面的篇幅会进行非常详尽的介绍和测试

  

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  除了强劲的超频能力之外,绝影RGB DDR4内存在效果方面也非常用心。

  朗科在内存的PCB板上集成了一颗ENE 6K5830UA0芯片,用于控制灯效,可以实现神光同步,也能让玩家自由设置RGB灯效。

  目前市面上绝大多数支持RGB灯效的内存都没有专门的控制芯片,也就是说无让玩家控制灯效,当然也无法做到神光同步效果。

  朗科绝影RGB DDR4 4266MHz内存参数如下:

  

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  二、外观:电镀银工艺+ RGB灯效赏析

  

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  朗科绝影RGB DDR4采用对称式设计理念,散热马甲采用的是0.8mm 5052铝材,经冲压一体成型,最后再使用电镀银工艺进行处理,

  

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  中间是绝影LOGO

  

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  顶部的导光柱也做了电镀银处理,整条内存看上去浑然一体。

  

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  内存采用单面设计,一面有8颗内存颗粒

  

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  另一面是空的。

  

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  特挑的长鑫A-Die颗粒。

  

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  放在鑫谷斜杠青年MINI机箱内的装机效果图。

  三、超频测试:1.35V稳超4600C19

  测试平台如下:

  

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  1、性能测试

  

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  CPU-Z可以检测出一部分参数,朗科制造、长鑫颗粒。

  内置有2组XMP参数,分别是4266MHz 19-26-26-46和4266MHz 18-22-22-42,电压都是1.35V。

  2组XMP设置分别组了测试,以下测试都是基于GeAR 2模式。

  

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  4266MHz 18-22-22-42 下,内存读取、写入复制带宽分别为62GB/s、61.7GB/s、58GB/s,延迟55.1ns。

  

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  4266MHz 19-26-26-46下,写入复制带宽分别为61GB/s、61.5GB/s、57GB/s,延迟62.3ns。

  这里的读写速度变化不大,主要是延迟增加了不少,从55.1ns直接到了62.3ns。

  2、超频测试

  

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  在XMP1模式下超频到4600MHz时,时序不变,电压依旧是1.35V,VCCIO与VCCSA电压自动,分别为1.056V和1.312V。

  

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  实测内存读取、写入、复制速度分别为65.8GB/s、66GB/s、62GB/s,延迟54.2ns。

  

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  超频到4800MHz时,时序还是19-26-26-46,但需要将电压加到1.45V才能稳定,VCCIO与VCCSA电压依然是1.056V和1.312V。

  

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  实测内存读取、写入、复制带宽分别是69GB/s、69GB/s、64.5GB/s,延迟为52.5ns。

  3、稳定性测试

  

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  使用Memtest Pro 4.3测试超频后的稳定性,运行了近2个小时,进度达到了270%依然是0报错,证明了朗科绝影RGB DDR4-4266内存可以在1.45V的电压下能稳定在4800MHz C19频率下运行。

  四、总结:高频低时序DDR4会是游戏玩家首选

  随着DDR5时代的来临,DDR4内存看似已经出沦为明日黄花,但是如今DDR5内存也有明显的缺点。

  第一是价格太贵,就算是如今价格大降之后,其售价依然是同容量DDR4内存的1.5~2倍。

  第二是延迟太高,DDR5内存大都CL40起步,过高的时序和延迟导致即便是5200MHz频率的DDR5内存,其游戏性能也仅仅只是与低时序的DDR4 3600MHz相当。

  考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持DDR4内存,而高频的DDR4内存凭借其极低的延迟,游戏性能可以轻松碾压DDR5,所以近一两年对于游戏玩家来说,仍然可以优先考虑高频低时序的DDR4内存。

  

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  再来说说朗科绝影RGB DDR4-4266内存。

  1.35V 4266MHz C18已经令人叹为观止了,然而经过超频我们发现,它竟然能在1.35V电压下超频到4600MHz C19。

  单论这个成绩,可以花式吊打各类特挑的B-Die、CJR、DJR内存,长鑫颗粒能够做到这样的程度,是我们先前没有想到的。

  三星B-Die要达到同样的频率和时序,可能需要1.5V、1.6V甚至更高的电压。

  如果继续往上超,绝影DDR4 4266MHz内存需要1.45V的电压才能到4800MHz C19,此时内存的读写带宽已经逼近70GB/s,而延迟更是只有52ns。

  相比之下,DDR5 4800MHz C40的带宽虽然也有70GB/s,但其延迟则高达85ns,游戏性能被4800C19的DDR4内存甩了几条街。

  当前,如果12代酷睿是追求极致的游戏性能,显然高频的DDR4内存会是更合适的选择。

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